激光器晶圆的切割工艺

　　这是一篇关于晶圆切割的问题,主要是我用到的GaAs晶圆,也可以应用到InP晶圆等等需要晶面的晶圆上,供大家借鉴。

　　如下图,dies从wafer上切割下来,才能进行下一步的封装,切割线在设计晶圆的时候都有考量。

　　晶圆切割的方法有许多种,常见的有砂轮切割,比如disco的设备;激光切割、划刀劈裂法,也有金刚线切割等等。

　　比如GaAs或者Inp体系的晶圆,做侧发光激光时,需要用到芯片的前后腔面,因此端面必须保持光滑,不能有缺陷。切GaAs、InP材质具有解离晶面,沿此晶面,自动解离出光滑的晶向面,对发光效率等影响很大。

　　晶圆减薄至150～100um的厚度,太厚很难切开,由于硬度问题且不一定会沿着晶向方向。一般激光器的晶圆也需要薄一些,太厚体电阻太大。

　　5． 取出cell单元,进一步切成bar条,的线就表示一根bar条,分别在红色前后两端划出一小段沟槽即可。

　　6． 划完之后,采用劈裂机劈开,蓝膜在上,cell在下,从上往下劈,红色是预先划的沟槽,由于力的作用,都会先从沟槽开始劈裂。

　　7． 劈成bar条之后,由于左右两边有一部分被划伤,是不能用作有效芯片的,因此后期这一部分会被舍掉。因而这一段距离的芯片通常会做一些其他方面的设计,比如测试电极啊,bar条或者chip命名什么的。

　　9． 方法同上,也是先划,后劈,但是激光器侧边不像前后出光反射面,不需要保持晶向劈裂,因此可以从头划到尾。