多模干涉耦合器MMI介绍

　　如下图所示，在平板波导中，左侧的光源Q在沿着光传输的方向上，将周期性地出现其像Q1，Q2，...[1]

　　对于Si层在3-11um这种厚度下的SOI波导的分析发现，在MMI区域纵向存在多模效应，从而使得MMI成像不完善，损耗加大，均匀性降低。分别在输入输出波导与MMI的连接处引入taper结构，使纵向多模的激发比重减小，从而减小纵向多模对成像的影响。

　　以均匀性和附加损耗为评价MMI成像质量的性能指标，定量考察MMI的特性。考察taper结构对抑制纵向多模效应的作用[2]。

　　附加损耗定义为所有输出端口的光功率总和相对于全部输入光功率的减少值，用分贝来表示。其数学表达式为：

　　不均匀度是衡量MMI各输出端口分光不均匀程度的指标，通常用在实现相等分光的MMI耦合器中。不均匀度定义为输出端口最小光功率与最大光功率比，我们对比值取对数，单位为dB，则：

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　　是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管座内的器件。当输入电信号加到输入端发光器件LED上，LED发光，

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